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IXFP16N50P

Name: IXYS IXFP16N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP16N50P
Price: 4.75 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFP16N50P

Herst.- Nr.:

IXFP16N50P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 500V 16A

Datenblatt:

IXFP16N50P Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	400 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	36 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	IXFP16N50
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXFP16N50P Datenblatt

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

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