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IXFN32N100P

Name: IXYS IXFN32N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN32N100P
Price: 32.47 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN32N100P

Herst.- Nr.:

IXFN32N100P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 32 Amps 1000V 0.32 Rds

Datenblatt:

IXFN32N100P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	27 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	320 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	690 W
Serie:	IXFN32N100
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	43 ns
Höhe:	12.22 mm
Länge:	38.23 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	55 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	Polar Power MOSFET HiPerFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	76 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	50 ns
Breite:	25.42 mm
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN32N100P Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.