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IXFN24N100

Name: IXYS IXFN24N100
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN24N100
Price: 38.89 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN24N100

Herst.- Nr.:

IXFN24N100

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 1KV 24A

Datenblatt:

IXFN24N100 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	390 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	568 W
Serie:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Höhe:	9.6 mm
Länge:	38.23 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HyperFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	35 ns
Breite:	25.42 mm
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN24N100 Datenblatt

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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