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IXFK240N25X3

Name: IXYS IXFK240N25X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK240N25X3
Price: 28.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK240N25X3

Herst.- Nr.:

IXFK240N25X3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

Datenblatt:

IXFK240N25X3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	250 V
Id - Drain-Gleichstrom:	240 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	345 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.25 kW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	32 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	32 ns
Serie:	X3-Class
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	180 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	36 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

IXFK240N25X3 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™

IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™ sind Avalanche-fähige schnelle intrinsische Dioden mit n-Kanal-Anreichungsmodus. Diese MOSFETs verfügen über eine geringe R_DS(ON), eine niedrige Gate-Ladung (Q_G) und eine hohe Leistungsdichte. Die 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPERFET™ der X3-Klasse von IXYS entfernen während des Hochgeschwindigkeitsschaltens Restenergien zur Vermeidung von Bauteilausfällen.Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Netzteile, Robotik, Servosteuerungen und Ladegeräte für Elektro-Leichtfahrzeuge.

Ultra-Junction-MOSFETs

Die Ultra-Junction-MOSFETs von IXYS verfügen über einen niedrigen R_DS(on) und eine niedrige Q_g in Industriestandard-Gehäusen mit niedriger Induktivität. Diese Bauteile ermöglichen eine hohe Leistungsdichte, eine einfache Montage und Platzeinsparungen. Die Ultra-Junction-MOSFETs sind ideale Lösungen in SNT, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik-/Servo-Steuerungen.

HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse

Die IXYS HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse sind verbesserte Avalanche-bewertete schnelle intrinsische Dioden. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Leistungsdichte und geringe Gehäuseinduktivität mit geringem RDS_(ON) und geringem Q_G. Die MOSFETs der X-Klasse sind in internationalen Standardgehäusen erhältlich. Typische Applikationen sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, Robotik- und Servosteuerungen und ähnliche Applikationen.
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