IS66WVC4M16EALL-7010BLI

Name: ISSI IS66WVC4M16EALL-7010BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66WV4M16EA70BLI
Price: 5.75 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-66WV4M16EA70BLI

Herst.- Nr.:

IS66WVC4M16EALL-7010BLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

SRAM Pseudo SRAM 64Mb

Datenblatt:

IS66WVC4M16EALL-7010BLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	64 Mbit
Organisation:	4 M x 16
Zugangszeit:	70 ns
Maximale Taktfrequenz:	104 MHz
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	30 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VFBGA-54
Marke:	ISSI
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	IS66WVC4M16EALL
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Gewicht pro Stück:	86 mg

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Datenblatt

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TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.