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IS29GL256-70DLEB

Name: ISSI IS29GL256-70DLEB
Brand: ISSI
SKU: 870-IS29GL256-70DLEB
Price: 7.88 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-IS29GL256-70DLEB

Herst.- Nr.:

IS29GL256-70DLEB

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

NOR-Flash 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp

Datenblatt:

IS29GL256-70DLEB Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 7,10	€ 177,50
	€ 6,94	€ 347,00
	€ 6,77	€ 677,00

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IS29GL256-70DLEB-TR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 7,76

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	NOR-Flash
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	BGA-64
Serie:	IS29GL256
Speichergröße:	256 Mbit
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Max. aktiver Lesestrom:	45 mA
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Organisation:	32 M x 8/16 M x 16
Datenbus-Weite:	8 bit/16 bit
Timing-Typ:	Asynchronous
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 105 C
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	NOR Flash
Geschwindigkeit:	70 ns
Verpackung ab Werk:	260
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Datenblatt

IS29GL256-70DLEB Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8542326100
CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices

ISSI IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices offer a fast page access time of 20ns with a corresponding random access time as fast as 70ns. These memory devices feature a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation. The ISSI IS29GL256 devices thus offer faster effective programming time than standard programming algorithms. These memory devices are ideal for embedded applications that require higher density, better performance, and low power consumption.