GS8160Z18DGT-200V

Name: GSI Technology GS8160Z18DGT-200V
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS8160Z18DGT200V
Price: 38.13 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

464-GS8160Z18DGT200V

Herst.- Nr.:

GS8160Z18DGT-200V

Herst.:

GSI Technology

Beschreibung:

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M

Datenblatt:

GS8160Z18DGT-200V Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 32,41	€ 1 750,14
	€ 31,47	€ 3 398,76
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504	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	GSI Technology
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	18 Mbit
Organisation:	1 M x 18
Zugangszeit:	6.5 ns
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	190 mA, 195 mA
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TQFP-100
Verpackung:	Tray
Marke:	GSI Technology
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Speichertyp:	SDR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	GS8160Z18DGT
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	NBT SRAM
Typ:	NBT

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Datenblatt

GS8160Z18DGT-200V Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
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KRHTS:: 8542321020
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ECCN:: 3A991.b.2.b

NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.