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DI006H03SQ

Name: Diotec Semiconductor DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI006H03SQ
Price: 2.03 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DI006H03SQ

Herst.- Nr.:

DI006H03SQ

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

Datenblatt:

DI006H03SQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 0,929	€ 92,90
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	€ 0,64	€ 2 560,00
	€ 0,62	€ 4 960,00
24 000	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A, 4.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V, 2 V
Qg - Gate-Ladung:	11.7 nC, 11.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Quad
Abfallzeit:	8.7 ns, 13.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4 S, 3.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns, 4.9 ns
Serie:	DI0XX
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	17.5 ns, 28.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11.2 ns, 7.5 ns

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Datenblatt

DI006H03SQ Datenblatt (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times. With a wide junction temperature range from -55°C to +150°C, DI006H03SQ provides 1.5W maximum power dissipation and a ±20V maximum continuous gate-source voltage. The low-profile SO-8 packaged DI006H03SQ is geared toward DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.