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DXTN69060CE-7

Name: Diodes Incorporated DXTN69060CE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTN69060CE-7
Price: 0.74 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DXTN69060CE-7

Herst.- Nr.:

DXTN69060CE-7

Herst.:

Diodes Incorporated
Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

DXTN69060CE-7 Datenblatt (PDF)

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	€ 0,239	€ 119,50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 0,204	€ 204,00
	€ 0,184	€ 368,00
	€ 0,163	€ 815,00
	€ 0,154	€ 1 540,00

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT223-4
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	5.5 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	60 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	180 mV
Pd - Verlustleistung:	2 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	200 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	DXTN69060CE
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom:	5.5 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80
DC Stromverstärkung hFE max.:	475
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

DXTN69060CE-7 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290075
ECCN:: EAR99

DXTN69060C 60 V-NPN-Transistoren m. niedriger VCE

Der DXTN69060C 60 V-NPN-Transistor mit extrem niedriger V_{CE (SAT)} von Diodes Incorporated verfügt über eine proprietäre Struktur, um eine extrem niedrige V_{CE (SAT)}-Leistung und niedrigere Betriebstemperaturen zu erzielen, wodurch die Wärmemanagementanforderungen reduziert und die langfristige Zuverlässigkeit verbessert werden. Die DXTN69060C-Spezifikationen von Diodes Incorporated beinhalten eine Durchschlagspannung (BV_CEO) von über 60 V, einen Kollektorgleichstrom von 5,5 A und eine niedrige Sättigungsspannung unter 45 mV bei 1 A. Mit einem Hochstrom-R_{CE (SAT)} bei 24 mΩ (typisch), einer hFE-Charakterisierung bis 6 A, einer Verlustleistung von 2 W und schnellem Schalten mit kurzer Speicherzeit ist dieser Trransistor für eine effiziente, zuverlässige Leistung in Hochleistungsapplikationen ausgelegt.