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AS4C128M32MD2A-18BIN

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-4C12832MD2A18BIN

Herst.- Nr.:

AS4C128M32MD2A-18BIN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tray

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

AS4C128M32MD2A-18BIN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Typ:	SDRAM Mobile - LPDDR2
Speichergröße:	4 Gbit
Datenbus-Weite:	32 bit
Maximale Taktfrequenz:	533 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-134
Organisation:	128 M x 32
Zugangszeit:	18 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.14 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	AS4C128M32MD2A-18
Verpackung:	Tray
Marke:	Alliance Memory
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	171
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	130 mA
Gewicht pro Stück:	36,420 g

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Datenblatt

AS4C128M32MD2A-18BIN Datenblatt (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.