IMZA65R048M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R048M1HXKS
IMZA65R048M1HXKSA1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Lebenszyklus:
NRND:
Nicht empfohlen für neue Designs.
Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu Infineon Technologies IMZA65R048M1HXKSA1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 13 ns
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 12.6 ns
Serie: IMZA65R048
Verpackung ab Werk: 240
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 14.8 ns
Artikel # Aliases: IMZA65R048M1H SP005398433
Gewicht pro Stück: 6 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Models

Product Catalogs

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Österreich
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Österreich
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

650 V CoolSiC™-M1-Trench-Leistungs-MOSFETs

Die 650 V CoolSiC ™ -M1-Trench-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies  kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumcarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauelements erhöhen. Die CoolSiC-M1-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die  höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsabläufe und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads. 

Wohnhaus-Energiespeichersysteme (ESS)

Infineon Wohnhaus-Energiespeichersysteme (ESS) bieten eine große Auswahl von Produkten zum Erstellen und Verwalten von widerstandsfähigen Infrastrukturen zu optimalen Kosten. ESS bieten zwei hauptsächliche Einsatzbereiche Im ersten Einsatzbereich geht es um die Bereitstellung von solarbetriebenen Wohnhäusern (ESS für Wohnhäuser), die von Versorgungsunternehmen unabhängig sind. In einem größeren Maßstab handelt es sich beim zweiten Einsatzbereich darum, den erzeugten Strom in Zeiten mit hoher Nachfrage zu ergänzen (ESS für Großanlagen).

CoolSiC™ MOSFETs 650 V

Infineon Technologies  CoolSiC™ MOSFETs 650 V kombinieren die physikalische Stärke von Siliciumcarbid mit Funktionen, die die Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit des Bauelements verbessern. Mit seinem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren liefert der CoolSiC™ MOSFET die niedrigsten Verluste in der Applikation und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb. CoolSiC eignet sich hervorragend für den Einsatz in Applikationen mit hohen Temperaturen und rauen Umgebungen.

CoolSiC™ Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Die Siliziumkarbid-CoolSiC™ -MOSFETs und -Dioden von Infineon bieten ein Portfolio, das den Bedarf an intelligenterer und effizienterer Energieerzeugung, -übertragung und -nutzung abdeckt. Das CoolSiC-Portfolio erfüllt die Kundenanforderungen nach einer Verringerung der Systemgröße und -kosten bei Systemen mit mittlerer bis hoher Leistung, während gleichzeitig die höchsten Qualitätsstandards eingehalten werden, eine lange Systemlebensdauer gewährleistet und die Zuverlässigkeit garantiert wird. Mit CoolSiC werden Kunden die strengsten Effizienzziele erreichen und gleichzeitig die Betriebskosten senken. Das Portfolio umfasst CoolSiC-Schottky-Dioden, CoolSiC-Hybridmodule, CoolSiC-MOSFET-Module und diskrete sowie EiceDRIVER™ -Gate-Treiber-ICs für die Ansteuerung von Siliziumkarbid-Geräten.

Auf Lager: 323

Lagerbestand:
323 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
52 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
€ 9,56 € 9,56
€ 6,76 € 67,60
€ 5,63 € 563,00
€ 5,01 € 2.404,80
€ 4,26 € 5.112,00

Ähnliches Produkt

Infineon Technologies IMZA65R050M2HXKSA1
Infineon Technologies
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Mit dem aktuellen Teil vergleichen

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.