ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650-V-E-Modus-GaN-FETs

Die GNP1 EcoGaN™ 650-V-E-Modus-GaN-FETs (Galliumnitrid, GaN) von ROHM Semiconductor nutzen einen niedrigen On-Widerstand und eine Hochgeschwindigkeitsschaltung für den Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung und zur Verringerung der Größe. Die hochzuverlässigen GNP1 FETs bieten einen eingebauten ESD-Schutz und eine ausgezeichnete Wärmeableitung, wodurch die Montage erleichtert wird. Applikationen umfassen Wandler mit hoher Schaltfrequenz und hoher Dichte.

Merkmale

  • 650-V-E-Modus-GaN-FETs
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Hochgeschwindigkeitsschaltung
  • Integrierter ESD-Schutz
  • Hochzuverlässiges Design
  • Trägt zum Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung und zur Reduzierung der Größe bei
  • Hervorragende Wärmeverteilung
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Wandler mit hoher Schaltfrequenz
  • Wandler mit hoher Dichte

Technische Daten

  • GNP1070TC-Z
    • DFN8080K-Gehäuseausführung
    • Dauersenkenstrombereich: 7,3 A bis 20 A
    • Gepulster Drainstrombereich: 24 A bis 66 A
    • Drain-Source-Spannung: 650 V
    • Transienten-Drain-Source-Spannung: 750 V
    • -10 VDC bis +6 VDC Gate-Source-Spannungsbereich
    • Transienten-Gate-Source-Spannung: 8,5 V
    • Verlustleistung bei +25 °C: 56 W
    • Typischer Gate-Eingangswiderstand: 0,86 Ω
    • Typische Eingangskapazität: 200 pF
    • Typische Ausgangskapazität: 50 pF
    • Ausgangsladung: 44 nC
    • Typische Gate-Gesamtladung: 5,2 nC
    • Typische Einschaltverzögerungszeit: 5,9 ns
    • Typische Anstiegszeit: 6,9 ns
    • Typische Abschaltverzögerungszeit: 8,0 ns
    • Typische Abfallzeit: 8,7 ns
  • GNP1150TCA-Z
    • Gehäuseart: DFN8080AK
    • Dauersenkenstrombereich: 5 A bis 11 A
    • Gepulster Drainstrombereich: 17 A bis 35 A
    • Drain-Source-Spannung: 650 V
    • Transienten-Drain-Source-Spannung: 750 V
    • -10 VDC bis +6 VDC Gate-Source-Spannungsbereich
    • Transienten-Gate-Source-Spannung: 8,5 V
    • Verlustleistung bei +25 °C: 62,5 W
    • Typischer Gate-Eingangswiderstand: 2,6 Ω
    • Typische Eingangskapazität: 112 pF
    • Typische Ausgangskapazität: 19 pF
    • Ausgangsladung: 18,5 nC
    • Gate-Gesamtladung: 2,7 nC
    • Typische Einschaltverzögerungszeit: 4,7 ns
    • Typische Anstiegszeit: 5,3 ns
    • Typische Abschaltverzögerungszeit: 6,2 ns
    • Typische Abfallzeit: 8,3 ns

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Veröffentlichungsdatum: 2023-05-16 | Aktualisiert: 2023-10-10