8 Mbit SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Bulk
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 516 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 1Mbx8 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 512Kx16, 5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,2 CS, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,2 CS, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS, 48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 70 ns 2.2 V 1.65 V 4 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel