S25FL MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory

Infineon Technologies S25FL128S/S25FL256S MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory devices employ MIRRORBIT technology that stores two data bits in each memory array transistor. These Infineon devices feature 65nm process lithography as well as Eclipse architecture that dramatically improves program and erase performance. Infineon S25FL128S and S25FL256S Flash Non-Volatile Memory devices offer high densities coupled with the flexibility and fast performance required by a variety of embedded applications. They are ideal for code shadowing, XIP, and data storage.

Ergebnisse: 319
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Max. aktiver Lesestrom
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Datenbus-Weite
Timing-Typ
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 230
Mult.: 1 230

SMD/SMT WSON-8 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash 256-MBIT CMOS 3.0 V 65NM FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASHMEM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 1 200

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray